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定義

DRAM

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失(關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))。

Flash內(nèi)存

Flash內(nèi)存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名閃存，是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是按區(qū)塊擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快，所以被稱為Flash erase EEPROM，或簡稱為Flash Memory。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS(基本輸入輸出程序)、PDA(個人數(shù)字助理)、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。另一方面，閃存不像RAM(隨機(jī)存取存儲器)一樣以字節(jié)為單位改寫數(shù)據(jù)，因此不能取代RAM。

NOR Flash和NAND Flash

NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。

Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲器)和EEPROM(電可擦只讀存儲器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一統(tǒng)天下的局面。

緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND Flash 結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。

NOR Flash 的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP ，eXecute In Place），這樣應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于Flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。通常讀取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的寫入速度比NOR快很多，在設(shè)計中應(yīng)該考慮這些情況。

DDR

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。

DDR2

DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實(shí)的基礎(chǔ)?；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。

DDR3

DDR3是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品，提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM(四倍資料率同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍)，也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。

主要特點(diǎn)：

(1)功耗和發(fā)熱量較小：吸取了DDR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。

(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度彌補(bǔ)了延遲時間較長的缺點(diǎn)，同時還可作為顯卡的賣點(diǎn)之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn)。

(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規(guī)格多為16M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存顆粒規(guī)格多為32M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB顯存。如此一來，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數(shù)減少后，顯存功耗也能進(jìn)一步降低。

(4)通用性好：相對于DDR變更到DDR2，DDR3對DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設(shè)計的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對廠商降低成本大有好處。

目前，DDR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應(yīng)用。現(xiàn)在許多低端的顯卡也有采用DDR3顯存的。

DDR4

DDR，英文全稱為：Dual Data Rate，是一種雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。嚴(yán)格的說，DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。

簡單來說，DDR4就是第二代內(nèi)存的意思，目前不少智能手機(jī)與電腦都用上了新一代DDR4內(nèi)存，它屬于我們熟知的DDR3內(nèi)存的下一代版本，帶來了更低的功耗與更出色的性能。

區(qū)別

NAND flash和NOR flash

一、NAND flash和NOR flash的性能比較

flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。

NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0。由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。執(zhí)行擦除時塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統(tǒng)計表明，對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。

這樣，當(dāng)選擇存儲解決方案時，設(shè)計師必須權(quán)衡以下的各項因素。

1、NOR的讀速度比NAND稍快一些。

2、NAND的寫入速度比NOR快很多。

3、NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。

4、大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。

5、NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。

二、NAND flash和NOR flash的接口差別

NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。

NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)，各個產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作，很自然地，基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。

三、NAND flash和NOR flash的容量和成本

NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價格。

NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當(dāng)中，這也說明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所占份額最大。

四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性

采用flahs介質(zhì)時一個需要重點(diǎn)考慮的問題是可靠性。對于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來說，flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。

五、NAND flash和NOR flash的壽命(耐用性)

在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。

六、位交換

所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多)，一個比特位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報告反轉(zhuǎn)了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發(fā)生在一個關(guān)鍵文件上，這個小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然，如果這個位真的改變了，就必須采用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存，NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時候，同時使用EDC/ECC算法，這個問題對于用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當(dāng)然，如果用本地存儲設(shè)備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確保可靠性。

七、壞塊處理

NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發(fā)現(xiàn)成品率太低，代價太高，根本不劃算。

NAND器件需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中，如果通過可靠的方法不能進(jìn)行這項處理，將導(dǎo)致高故障率。

八、易于使用

可以非常直接地使用基于NOR的閃存，可以像其他存儲器那樣連接，并可以在上面直接運(yùn)行代碼。

由于需要I/O接口，NAND要復(fù)雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND器件時，必須先寫入驅(qū)動程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當(dāng)?shù)募记桑驗(yàn)樵O(shè)計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。

九、軟件支持

當(dāng)討論軟件支持的時候，應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件，包括性能優(yōu)化。

在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時，通常需要驅(qū)動程序，也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時都需要MTD。

使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用于NOR器件的更高級軟件，這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動，該驅(qū)動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所采用。

驅(qū)動還用于對DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。

DDR與DDR2

DDR與DDR2區(qū)別一覽表

DDR2與DDR3

特性區(qū)別：

1、邏輯Bank數(shù)量

DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計，目的就是為了應(yīng)對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。

2、封裝(Packages)

由于DDR3新增了一些功能，在引腳方面會有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質(zhì)。

3、突發(fā)長度(BL，Burst Length)

由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期(BL，Burst Length)也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。

4、尋址時序(Timing)

就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲(AL)的設(shè)計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數(shù)——寫入延遲(CWD)，這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。

DDR3與DDR4

主要區(qū)別：

1、外觀改變

DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀，這意味著，DDR4內(nèi)存不再兼容DDR3，老平臺電腦無法升級DDR4內(nèi)存，除非將CPU和主板都更換為新平臺。

2、DDR4內(nèi)存頻率與帶寬提升明顯

頻率方面，DDR3內(nèi)存起始頻率為800，最高頻率達(dá)到了2133。DDR4內(nèi)存起始頻率就達(dá)到了2133，量產(chǎn)產(chǎn)品最高頻率達(dá)到了3000，從內(nèi)存頻率來看，DDR4相比DDR3提升很大。

帶寬方面，DDR4內(nèi)存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/S)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70%。

綜合來看，DDR4內(nèi)存性能最大幅度可比DDR3提升高達(dá)70%，甚至更高。

3、DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達(dá)128GB

上一代DDR3內(nèi)存，最大單挑容量為64GB，實(shí)際能買到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4內(nèi)存，單條容量最大可以達(dá)到128GB，媲美SSD了。

4、DDR4功耗明顯降低，電壓達(dá)到1.2V、甚至更低。上一代DDR3內(nèi)存，采用1.5V標(biāo)準(zhǔn)電壓，而DDR4內(nèi)存則降低為1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省電，并且可以減少內(nèi)存的發(fā)熱。

廠商

1、金士頓科技（Kingston Technology）

總部：美國

主營：系統(tǒng)指定內(nèi)存、ValueRAM內(nèi)存模組、HyperX玩家專用內(nèi)存、存儲卡、MicroSD卡。

2、記憶科技（Ramaxel）

總部：深圳

主營：記憶提供內(nèi)存、固態(tài)硬盤（SSD）、閃存卡等全系列存儲產(chǎn)品及解決方案。

3、威剛科技（ADATA Technology）

總部：臺灣

主營：內(nèi)存、閃存盤/閃存卡、SSD 固態(tài)硬盤及移動硬盤。

4、美光科技（Micron Technology）

總部：美國愛達(dá)荷州

主營：DRAM、NAND快閃存儲器和CMOS影像感測器，其它半導(dǎo)體元件和內(nèi)存模組。

5、創(chuàng)見資訊（Transcend Information）

總部：臺灣

主營：各式存儲器模塊、存儲卡、讀卡機(jī)、U盤、數(shù)字音頻播放器、外接式硬盤、固態(tài)硬盤、工業(yè)用產(chǎn)品與其他周邊產(chǎn)品。

6、MA Labs

總部：美國硅谷

主營：處理器，存儲設(shè)備，筆記本電腦，主板，顯卡，顯示器，無線網(wǎng)絡(luò)，外殼，消費(fèi)電子，軟件等。

7、金泰克（Kimtigo）

總部：深圳

主營：電腦、服務(wù)器到播放器、手機(jī)等幾乎所有的使用存儲產(chǎn)品的設(shè)備。業(yè)務(wù)范圍囊括DRAMModule，SSD，MicroSD，UFD等。

8、宇瞻科技（Apacer Technology）

總部：臺灣

主營：Flash與USB等行動存儲產(chǎn)品。

9、海盜船內(nèi)存（Corsair Memory ）

總部：美國

主營：隨身盤Flash Voyager、電源供應(yīng)器、PC組件及外圍設(shè)備。

10、十銓科技（Team Group）

總部：臺灣

主營：存儲器模組（Memory Module），各款存儲卡（Memory Card），快閃盤（UFD），固態(tài)硬盤（SSD），移動硬盤（Portable Hard Drive）及工規(guī)記憶儲存產(chǎn)品，亦接受國際知名大廠委外代工。

11、閃迪SanDisk

總部：美國

主營：SD/microSD卡，讀卡器，無線存儲，移動閃存盤，USB閃存盤，SSD，嵌入式存儲產(chǎn)品等。

12、芝奇gskill

總部：臺灣

主營：筆記本/臺式/MAC內(nèi)存，SSD，內(nèi)存卡，電腦外設(shè)周邊等。

13、金邦科技GEIL

總部：臺灣

主營：DDR系列內(nèi)存，SSD，存儲卡等。

14、光威Gloway

總部：加拿大

主營：內(nèi)存系列，SSD，USB閃存盤等。

15、美商博帝科技(Patriot Memory)

總部：美國

主營：DRAM，SSD，F(xiàn)lash等。

16、盛創(chuàng)Kingmax

總部：臺灣

主營：SSD，U盤，存儲卡，內(nèi)存DRAM等。

17、三星Sangsung

總部：韓國

主營：SD/MicroSD卡，SSD，嵌入式存儲等。

18、東芝Toshiba

總部：日本

主營：NAND閃存，MCP存儲器，可移除存儲媒介等。

19、海力士Hynix

總部：韓國

主營：DDR4/DDR3 SDRAM，電腦內(nèi)存，圖像存儲器，嵌入式存儲，NAND Flash等。

20、英特爾Intel

總部:美國

主營：內(nèi)存，嵌入式存儲等。

21、飛索半導(dǎo)體Spansion

總部：美國

主營：HyperFlash NOR閃存，串并行NOR閃存，MCP閃存，NAND閃存等。

22、意法半導(dǎo)體ST

總部：瑞士

主營：NFC/RFID存儲器和收發(fā)器，NVRAM，串口EEPROM等

23、力積電子Zentel

總部：臺灣

主營：利基型 DRAM、Flash 產(chǎn)品設(shè)計，制造與銷售。

24、芯城ISSI

總部：加利福尼亞州圣何塞市

產(chǎn)品：高速和低功耗的SRAM和低,中密度的DRAM等。

25、賽普拉斯CYPRESS

總部：加利福尼亞州圣何塞

產(chǎn)品：無線、Microcontrollers (MCUs)、存儲器、觸摸感應(yīng)、電源管理、時鐘與緩沖器等。

26、微芯

產(chǎn)品：PIC8位單片機(jī)(MCU)和高品質(zhì)的串行EEPROM等。

27、ADESTO

產(chǎn)品：DataFlash?內(nèi)存，融合串行閃存，EcoXiP?系統(tǒng)加速內(nèi)存和Mavriq?和莫尼塔?串行存儲設(shè)備等。

28、華邦WINBOND

產(chǎn)品：閃存（Code Storage Flash Memory）、利基型動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（Specialty DRAM）及移動隨機(jī)存取內(nèi)存（Mobile DRAM）等。

29、旺宏MACRONIX

產(chǎn)品：NOR型快閃記憶體、NAND型快閃記憶體、e.MMC記憶體等。

30、來揚(yáng)LYONTEK

產(chǎn)品：Asynchronous SRAM、DDR OPI RAM、LPDDR2 SDRAM、Audio Amplifier等。

32、南亞科NANYA

產(chǎn)品：標(biāo)準(zhǔn)型DRAM 、低功率行動DRAM、MCP、良裸晶KGD、車用與工規(guī)等級DRAM等。

33、長江存儲YMTC

產(chǎn)品：長江存儲將以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，繼續(xù)拓展武漢新芯目前的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)布局，并著力發(fā)展大規(guī)模存儲器。

34、華芯SCS

產(chǎn)品：USB3.0國密主控、SSD系列、高性能閃存系列等。

35、兆易創(chuàng)新GIGADEVICE

產(chǎn)品：NOR Flash、SPI NAND Flash、GD32系列32位通用MCU等。

36、復(fù)旦微FMSH

產(chǎn)品：安全與識別芯片、智能電表、非揮發(fā)存儲器、專用模擬電路、北斗導(dǎo)航等。

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