0 引言

　　在電化學、核聚變以及勵磁等大型變換裝置上，都存在多個電力半導體器件（如整流管、晶閘管以及其它新型電力半導體器件等）的并聯(lián)問題，從線路應用的角度，已取得了許多成功的經(jīng)驗[1]~[6]，其中文獻[1]和[6]還從均流系數(shù)的角度，給出了對器件的要求。然而從器件及其篩選匹配方面，我們認為還有進一步的探討和研究的必要。從事器件應用的，注重器件的內(nèi)在性能；從事器件設計的，注重線路對器件的要求，兩方面的結合是提升器件性能的最近之路。近年來，我們在解決器件的均流問題上，應用戶的要求，作了一些嘗試，取得了一些經(jīng)驗，這些經(jīng)驗是雙方共同努力的結晶。本文就是這些點滴嘗試經(jīng)驗的說明。

1 器件均流問題的提出

　　當輸出電流容量的要求高于單個器件的最大可用電流時，就必須采用多個器件并聯(lián)；對于一些特殊的應用場合，如絕對不允許有因質量問題而出現(xiàn)停電和設備停止運轉時，往往也采用多個器件并聯(lián)，這樣即使有10%~20%的器件，或支路出現(xiàn)問題，也能確保運轉工作正常進行。

　　整流二極管和晶閘管等雙極性器件，其通態(tài)伏安特性均表現(xiàn)出溫度升高而壓降曲線減小的特點，即所謂負電阻溫度系數(shù)，而負電阻溫度系數(shù)的器件是很不利于并聯(lián)的，這就更增加了并聯(lián)均流的難度[7]。

　　要進行多個電力半導體器件的并聯(lián)，就必須認真解決均流問題。器件均流問題還可細分為動態(tài)均流和穩(wěn)態(tài)均流。

　　所謂動態(tài)均流是指由斷到開，或由開到關情況下的均流。前者是主要的，后者往往可以不做考慮。由斷態(tài)到通態(tài)解決的是同時觸發(fā)開通的問題，以晶閘管為例，只要是同一批次的器件，開通延遲時間的誤差都在1滋s之內(nèi)，而整個開通延遲時間才是幾滋s，因此要保證動態(tài)均流，就要注意：

　　1）將門檻電壓VTO盡量選低些[4]；

　　2）確保門極觸發(fā)脈沖的幅度（例如應用時給定的觸發(fā)電流Igm等于器件觸發(fā)電流Ig的5倍）和寬度（例如100 滋s），特別是脈沖前沿的陡度（例如0.1滋s）[5]，則動態(tài)均流是有保證的。

　　所謂穩(wěn)態(tài)均流就是通態(tài)均流，也是最主要的均流問題。站在應用的角度，主要的均流措施有小電流應用中的電阻均流，大電流應用中的電抗器均流，總之，都是被動的并以額外附加一些電功率為前提。

　　不言而喻，之所以有不均流現(xiàn)象，是由于器件的不同通態(tài)參數(shù)引起的，只有把握好關鍵的器件通態(tài)參數(shù)這一關，才是抓住了并聯(lián)均流的主要矛盾。這一現(xiàn)象如圖1所示。

2 通態(tài)理論和基本特性參數(shù)

　　多數(shù)電力半導體器件的通態(tài)伏安特性曲線都可用發(fā)展了的赫萊特（Herlet）關系式[8]來表征，即瞬時通態(tài)電壓VTM表示通態(tài)結壓降、通態(tài)體壓降、以及接觸壓降之和。對于一個制作精良的器件，一般可以忽略接觸壓降（接觸壓降是符合歐姆定律的，即使制作水平差，也很容易將它篩選出去），由通態(tài)結壓降Vj、通態(tài)體壓降Vm公式

　　公式（3）是一個復雜的函數(shù)形式，通態(tài)電流對通態(tài)電壓的重大影響是隱含在其各個參量上的。

　　盡管公式（3）的函數(shù)形式很復雜，但在充分考慮載流子間散射效應、俄歇復合效應、端區(qū)復合效應后，按照一定的程序，完全可以計算出VTM，并且是理論符合實際的通態(tài)伏安特性曲線，如果并聯(lián)器件都取接近的通態(tài)伏安特性曲線，那么均流問題會解決得很好。

　　還可以將復雜的公式（3）表征的函數(shù)，用最簡單的函數(shù)形式，如0、0.5、1 次冪指數(shù)和一個簡單對數(shù)來近似描述，寫成如下形式

　　式中4 個常數(shù)A、B 、C、D 完全可以用4 個測試點的數(shù)據(jù)代入，通過解行列式而得到VTM。

　　很顯然，運用公式（3）或（4）可以得到通態(tài)參數(shù)的精確數(shù)據(jù)和實測結果，但還不方便用于并聯(lián)均流匹配工作。

　　為此在器件額定工作點附近做直線近似，尋找一個規(guī)范的解決辦法。利用圖2，簡單介紹這種處理問題的規(guī)范的方法。

　　圖2 中，V1 是0.5ITM 下的峰值電壓，V2 是1.5ITM 下的峰值電壓，VTM 是ITM 下的峰值電壓，ITM為通態(tài)峰值電流，ITM=3（或仔）IT AV，IT AV是正半波平均電流。

　　由圖2很容易得到下式關系式。

　　通態(tài)峰值電壓

　　這里，通態(tài)門檻電壓VTO，是由通態(tài)近似直線與電壓軸的交點所確定的通態(tài)電壓值；通態(tài)斜率電阻rT，是由通態(tài)近似直線的斜率計算出的電阻值。通態(tài)門檻電壓VTO，通態(tài)斜率電阻rT是衡量通態(tài)特性好壞的標志性參數(shù)，是通態(tài)特性本質的反映。

　　幾乎所有電力電子的應用書籍在并聯(lián)均流上，都有一句“盡量選用特性參數(shù)一致的器件”。器件參數(shù)那么多，僅通態(tài)參數(shù)就有幾十個，究竟如何選取呢？有的選取以通態(tài)平均壓降VT一致作為均流匹配的原則，有的選取以額定通態(tài)峰值電壓VTM一致作為均流匹配的原則，實踐表明其局限性都很大。我們認為依據(jù)用戶實際工作電流，選取通態(tài)門檻電壓VTO值、通態(tài)斜率電阻rT值一致才是并聯(lián)器件均流的正確匹配原則。

　　用公式（3）或（4）計算，或者直接用峰值電壓測試儀測出V1、V2 值，代入公式（5）~（7），立即得到VTO 值、rT值以及VTM 值，選取VTO、rT接近的一組就是均流匹配成功的一組。

3 測試結果和計算匹配

　　應用戶要求，尚需給出在ITM=300 A，即ITAV=100 A時的并聯(lián)均流匹配的分組結果，這是實際使用中的真實的常規(guī)情況。為此，以ITM=300 A為中心，分別以150 A和450 A作為新的V1、V2值的測試或計算電流，利用表1 中的450 A的結果，再加150 A的結果，如表2 所列。在表2中的參數(shù)上加了角標O，是為了和表1中的參數(shù)符號相區(qū)別，表2中的數(shù)據(jù)一目了然，無需多加說明。

4 結語

　　1）由表1 到表2，從I TM=900 A到ITM=300 A，也即從通態(tài)伏安特性曲線的高電流段下降到低電流段，反映結電壓的門檻電壓是降低的，這正是并聯(lián)均流所需要的。而反映體內(nèi)壓降的斜率電阻是稍許增加的，但這并不影響并聯(lián)均流。出于并聯(lián)均流的需要，在產(chǎn)品樣本中，給出兩套通態(tài)門檻電壓、通態(tài)斜率電阻值是完全必要的，有的國外樣本就是這樣做的。

　　2）兩個表中的數(shù)據(jù)都是近期在聯(lián)均流測試中獲得的數(shù)據(jù)，看上去有些理想化，不夠典型，但作為并聯(lián)均流測試篩選匹配器件的方法是很清晰的。通常認為并聯(lián)均流的器件必須選同一批次的，因而測試篩選匹配工作容易得多，即免去了開通時間一致的匹配篩選。器件并聯(lián)均流中的測試（或計算）電流的選取必須由用戶的實際電流而定，這是特別要注意的前提條件。

　　3）上述并聯(lián)均流的方法是經(jīng)過多次失敗總結而得來的，我們曾采取的方法有：

　?。?）將注重點放在開通參數(shù)上，如確保觸發(fā)參數(shù)一致，然而，當在應用中確保了門極觸發(fā)脈沖的幅度和寬度后，其對并聯(lián)均流的影響很??；

　　（2）將注重點放在通態(tài)平均電流IT AV和通態(tài)平均壓降VT上，按文獻[1]提供的均流系數(shù)的方法進行匹配篩選，雖然通過了用戶的應用要求，但總還不夠理想，這是因為通態(tài)平均壓降VT 反映的是穩(wěn)定后的平均效果，這樣變化因素更多更難控制，不如采用瞬時值優(yōu)越；

　　（3）采用額定通態(tài)峰值電壓VTM值進行匹配篩選，僅以一點值且往往又不是真正的工作點值為篩選參數(shù)，所以其局限性更大。

　　4）一臺整機的均流器件的更換，原則上是采用同一批次器件。如果更換為不同廠家的產(chǎn)品，就必須在同一條件下，選通態(tài)門檻電壓、通態(tài)斜率電阻值完全近似的，且還必須測試開通時間并匹配，否則并聯(lián)均流會失敗。這方面的教訓也很多。

　　5）大量器件（如8個及以上）在一條線上并聯(lián)裝配，因磁場作用，往往出現(xiàn)邊緣電流集中的問題，由于和現(xiàn)場關系密切，對用戶來講，會認真解決的。

　　6）實踐反復證明，依據(jù)用戶的要求，采用V1、V2值的測試（或計算）確定通態(tài)門檻電壓、通態(tài)斜率電阻值，進而匹配均流器件是一個方便簡捷實用的好辦法。按照這樣的均流匹配方法，在一定條件下，省掉電抗器，實現(xiàn)了晶閘管的直接并聯(lián)。

參考文獻

[1] 肖芳桂. 三萬安培晶閘管'三合一' 整流裝置[J]. 電力電子技術，1984，1：16.
[2] 肖芳桂. 多串多并大功率晶閘管變流裝置主電路元件的合理設計問題[C]. 第三屆電力電子學會論文集，上海. 1986：123-125.
[3] 莫正康. 半導體變流技術[M]. 北京：機械工業(yè)出版社，1992：90-92.
[4] 田上芳朗等. 大容量變換裝置中多個元件串并聯(lián)的問題[J]. 國外電力電子技術，1983，2：45-49.
[5] 維捷斯拉夫·本達等. 功率半導體器件- 理論及應用[M]. 吳郁等譯. 北京：化學工業(yè)出版社，2005：5，319-32.
[6] 陸地.淺談并聯(lián)硅器件的均流問題[R].五屆一次理事暨報告會，1999，5.
[7] 王正元. 世紀更迭中的電力電子器件[R]. 五屆一次理事暨報告會，1999，5.
[8] A Herlet. The Forward Characteristic of Silicon Power Rectifiers at High Current Densities [J]. Solid_State Electoron，1968，11（No.8）717-742.