為降低原料成本，觸控面板廠積極找新材料，盼取代占成本40%左右的氧化銦錫（ITO）薄膜。在此背景下，金屬網(wǎng)格（Metalmesh）、納米銀線（Agnanowire）、碳納米管（CNT）、石墨烯（Graphene）等替代材料興起，受到各大觸控廠商青睞。

　　另外，觸控面板用氧化銦錫（ITO）薄膜主要材料為銦錫（Indium），全球58%產(chǎn)量集中在中國大陸，因銦錫產(chǎn)量遭限制，導(dǎo)致價格上漲。因國內(nèi)限制銦錫產(chǎn)量，觸控面板廠費盡心思開發(fā)替代材料，以確保大尺寸觸控面板的價格競爭力。

　　下面小編將帶大家一起來看看這些替代氧化銦錫（ITO）薄膜的新材料的布局情況。

　　一、各廠商爭相布局Metalmesh金屬網(wǎng)格技術(shù)

　　Metal-Mesh是有別于傳統(tǒng)的ITO的觸控導(dǎo)電層，其特點之一是以Film為基礎(chǔ)，目前只是觸控技術(shù)之一，在手機和中尺寸觸控屏中應(yīng)用比較多。MetalMesh具備以下優(yōu)勢：首先，從工藝制程上來看，材料不會有浪費，材料本身成本也相對更低廉。其次，觸摸屏方阻低，導(dǎo)電性能更高，反應(yīng)速度快，用戶體驗更完美。

　　2013年開始，觸控面板廠搶觸控筆記本商機，紛紛開始布局MetalMesh金屬網(wǎng)格技術(shù)，繼大陸觸控廠歐菲光、界面在今年底推出MetalMesh觸控面板之后，勝華也宣布推MetalMeshOGS面板。

　　針對輕薄化的趨勢，勝華還祭出了GFG可撓式觸控面板，預(yù)計2014年上半年量產(chǎn)。

　　雖然NB市場衰退，不過一年仍有超過2億臺的規(guī)模，以10~20%的市場滲透率計算，觸控筆記本一年出貨量高達2，000~4，000萬臺，數(shù)量相當(dāng)可觀。由于ITO導(dǎo)電度比金屬差，在屏幕尺寸放大之后，影響到觸控靈敏度，因此觸控面板廠紛紛投入MetalMesh觸控的開發(fā)。

　　勝華表示，今年成功開發(fā)MetalMesh技術(shù)，利用過去TFT面板用的曝光機，把MetalMesh做在OGS單片式觸控面板上，不僅提升了觸控靈敏度，而且因為電阻降低，還可以達到表面懸?。╤overing）的觸控效果。包括手機大廠、以及NB廠都很有興趣，目前已經(jīng)送樣給客戶驗證中，最快2014年上半年可望導(dǎo)入量產(chǎn)。

　　勝華董事長黃顯雄在今年宣布公司正在開發(fā)全新的GFG（GlassFlexibleGlass）觸控面板，也就是外層是一面保護玻璃，搭配一片超薄的flexibleglass可撓式玻璃。雖然是兩片玻璃，但是超薄玻璃厚度僅厚度約0.1~0.2毫米，不僅產(chǎn)品輕薄，而且透光度可達9成以上。

　　勝華表示，GFG觸控面板生產(chǎn)比較容易標準化，量產(chǎn)后成本可以快速下降，目前也正在跟客戶推廣。

　　今年各家觸控面板大廠都積極開發(fā)MetalMesh觸控技術(shù)，10月份大陸觸控面板廠歐菲光宣布量產(chǎn)MetalMesh觸控面板，供貨給大陸筆記本大廠。而界面日前發(fā)表全尺寸MetalMesh觸控面板。

　　界面表示，目前已經(jīng)有包括手機以及平板電腦客戶在接觸，12月可以開始小量出貨，隨著客戶的新產(chǎn)品陸續(xù)量產(chǎn)，預(yù)期2014年第2季就將滿載。界面計劃在2014年第2季擴產(chǎn)。目前MetalMesh觸控面板的產(chǎn)能約5萬平方米，明年下半年還將會擴產(chǎn)，再增加25萬平方米。

　　二、觸控巨頭宸鴻進攻納米銀

　　納米線是一種納米尺度(1納米=10^-9米)的線。換一種說法，納米線可以被定義為一種具有在橫向上被限制在100納米以下（縱向沒有限制）的一維結(jié)構(gòu)。這種尺度上，量子力學(xué)效應(yīng)很重要，因此也被稱作"量子線"。根據(jù)組成材料的不同，納米線可分為不同的類型，包括金屬納米線（如：Ni，Pt，Au等），半導(dǎo)體納米線（如：InP，Si，GaN等）和絕緣體納米線（如：SiO2，TiO2等）。分子納米線由重復(fù)的分子元組成，可以是有機的（如：DNA）或者是無機的（如：Mo6S9-xIx）。作為納米技術(shù)的一個重要組成部分，納米線可以被用來制作超小電路。銀納米線除具有銀優(yōu)良的導(dǎo)電性之外，由于納米級別的尺寸效應(yīng)，還具有優(yōu)異的透光性、耐曲撓性。因此被視為是最有可能替代傳統(tǒng)ITO透明電極的材料，為實現(xiàn)柔性、可彎折LED顯示、觸摸屏等提供了可能，并已有大量的研究將其應(yīng)用于薄膜太陽能電池。此外由于銀納米線的大長徑比效應(yīng)，使其在導(dǎo)電膠、導(dǎo)熱膠等方面的應(yīng)用中也具有突出的優(yōu)勢。

　　TPK宸鴻與日寫合作：進攻納米銀

　　F-TPK宸鴻與日本寫真宣布策略結(jié)盟，聯(lián)手進攻納米銀線（SNW）觸控技術(shù)，以降低成本，進軍5至6寸的中階智能機觸控市場，共同迎戰(zhàn)大陸競爭對手的價格戰(zhàn)，重回過去高獲利水平。

　　TPK與Cambrios先前合資成立TPKFilm，專門研發(fā)SNW技術(shù)，目前資本額為1500萬美元，引入日本寫真（日寫）后，將增資到2500萬美元，TPK加碼投資400萬美元，日寫投資625萬美元，TPK、日寫及Cambrios三方的股權(quán)比例分別為65%、25%及10%。

　　TPK事長江朝瑞表示，TPK與Cambrios合作開發(fā)SNW已逾3年，日寫將導(dǎo)入薄膜制程與滾動條式生產(chǎn)技術(shù)，雙方共同制定全球SNW的規(guī)格與標準，以樹立專利門檻，阻止對手進入。

　　TPK財務(wù)長劉詩亮說，TPKFilm預(yù)定第4季打樣，明年第2季量產(chǎn)，2014下半年產(chǎn)能將達200萬片，初期主攻智能手機及平板電腦。

　　納米銀是透明導(dǎo)電材料，可以運用在觸控感測導(dǎo)電圖型結(jié)構(gòu)的制程中，納米銀觸控是目前最新且具成本競爭力的觸控技術(shù)，開發(fā)有助簡化制程，降低成本。

　　法人分析，宸鴻是整體手機、平板電腦供應(yīng)鏈中，唯一主打納米銀觸控技術(shù)的廠商，納米銀訴求穿透率高等性能優(yōu)勢，但由于納米銀觸控技術(shù)尚未普及，價格偏高，目前觸控裝置以中低價位的智能手機與平板電腦為主要市場，倘若技術(shù)不成熟、價格貴，恐怕短時間難打入市場。

　　宸鴻迎戰(zhàn)低價觸控競爭推出低價納米銀解決方案

　　宸鴻總經(jīng)理孫大明表示，去年遭逢內(nèi)嵌式（incell）觸控面板興起的沖擊，宸鴻都能迎刃而解，今年迎戰(zhàn)低價觸控面板競爭，宸鴻將加強中低端產(chǎn)品布局，并推出低價的納米銀解決方案，可望順利過關(guān)。

　　宸鴻財務(wù)長劉詩亮指出，過去宸鴻的基因是做高端產(chǎn)品，從技術(shù)演進來看，現(xiàn)在來做低規(guī)格的產(chǎn)品，具有技術(shù)上的優(yōu)勢，宸鴻將開發(fā)中低端產(chǎn)品，雖然獲利會比較低、毛利降低，但量大時，整體獲利也會不錯。

　　今年以來，觸控筆電銷售未如預(yù)期，價格偏高是主因，觸控面板廠紛紛開發(fā)低價觸控面板，以利搶進觸控筆電市場。他說，宸鴻推出單片式觸控（OGS）面板，鎖定筆電市場，除既有的高端產(chǎn)品，也將推出低價產(chǎn)品。

　　三、日本開始量產(chǎn)單層碳納米管（CNT）

　　碳納米管作為一維納米材料，重量輕，六邊形結(jié)構(gòu)連接完美，具有許多異常的力學(xué)、電學(xué)和化學(xué)性能。近些年隨著碳納米管及納米材料研究的深入其廣闊的應(yīng)用前景也不斷地展現(xiàn)出來。碳納米管具有高傳熱、高導(dǎo)電性優(yōu)良、碳納米管具有良好的力學(xué)性能，CNTs抗拉強度達到50～200GPa，是鋼的100倍，密度卻只有鋼的1/6，至少比常規(guī)石墨纖維高一個數(shù)量級；它的彈性模量可達1TPa，與金剛石的彈性模量相當(dāng)，約為鋼的5倍。碳納米管是目前可制備出的具有最高比強度的材料。若將以其他工程材料為基體與碳納米管制成復(fù)合材料，可使復(fù)合材料表現(xiàn)出良好的強度、彈性、抗疲勞性及各向同性，給復(fù)合材料的性能帶來極大的改善。

　　2014年2月，日本終于開始量產(chǎn)單層碳納米管（CNT）了。分離技術(shù)也取得了巨大進展，今后有望實現(xiàn)以前無法實現(xiàn)的產(chǎn)品。石墨烯的帶隙問題也出現(xiàn)了解決的希望。

　　什么樣的碳元件能實用化主要取決于CNT和石墨烯等材料的品質(zhì)及價格。現(xiàn)在，終于能以低成本采購高品質(zhì)的CNT和石墨烯了，而且還有希望選擇具備特定帶隙的材料。

　　單層CNT：合成和分離均取得進展

　　日本從2014年2月開始量產(chǎn)單層碳納米管（CNT）。單層CNT的量產(chǎn)在全球還比較少見注1）。如果每克高達10多萬日元的單層CNT價格能通過量產(chǎn)降低，利用單層CNT的碳元件就會增加，從而促進單層CNT的價格進一步降低，這樣就有望形成良性循環(huán)。

　　除此之外，量產(chǎn)較高品質(zhì)單層CNT的還有率先推出CNT觸摸面板的中國富納源創(chuàng)。2002年開發(fā)出了稱為“Super-AlignedCNTArray”的CVD法。與SG法相似，不過SG法是2004年開發(fā)的。

　　采用兩種方法的工廠接連投入運轉(zhuǎn)

　　目前，量產(chǎn)高品質(zhì)單層CNT的技術(shù)主要可分為兩種。日本最近運轉(zhuǎn)的量產(chǎn)工廠也采用了隸屬于這兩種分類的技術(shù)。首先，2014年2月開始量產(chǎn)的是稱為eDIPS（增強直噴熱解合成）法的技術(shù)（圖1）。

　　該技術(shù)由日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所開發(fā)。名城大學(xué)設(shè)立的風(fēng)險企業(yè)——名城納米碳公司建設(shè)了采用該技術(shù)的量產(chǎn)工廠，于2014年2月投入使用。“采用eDIPS法一小時可合成一克單層CNT。包括精煉過程的成品率在內(nèi)，與我們此前利用的電弧放電法相比，擁有100倍的量產(chǎn)性”（名城納米碳公司代表董事橋本剛）。

　　另一種量產(chǎn)技術(shù)稱為超速成長（SG）法，也是由產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所開發(fā)的。SG法已經(jīng)啟動了長12m的大型驗證工廠。不過，今后才要開始大規(guī)模量產(chǎn)。日本瑞翁（Zeon）正考慮2015年啟動年產(chǎn)10噸規(guī)模的工廠。

　　根據(jù)碳元件的種類區(qū)分使用

　　這兩種量產(chǎn)技術(shù)相互之間不存在競爭。因為可合成的單層CNT的類型不同。因此，都是根據(jù)用途區(qū)分利用合成法。

　　首先，eDIPS法是化學(xué)氣相法（CVD）的一種，從反應(yīng)爐上投入碳源和作為催化劑的金屬微顆粒物，在氣相中生長CNT。既不使用基板也不使用固定催化劑的載體。無需清潔車間，能在大氣壓下制造。

　　利用這種方法合成的單層CNT結(jié)晶缺陷少，純度高達90～95％，遠遠高于原來的合成方法。CNT的直徑比較細，只有1n～2nm。

　　該方法的最大特點是，“通過控制反應(yīng)條件，可在約10％的范圍內(nèi)制作所需的直徑”（產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所納米管應(yīng)用研究中心流動氣相成長CNT小組研究組長齋藤毅）。

　　單層CNT的結(jié)晶缺陷少有助于載流子遷移率、發(fā)光效率和機械強度等都實現(xiàn)高水平。直徑可選意味著如果單層CNT是半導(dǎo)體型，可以選擇帶隙尺寸。因此，利用eDIPS法合成的單層CNT適合用作半導(dǎo)體材料。

　　可以全部分離的技術(shù)亮相

　　最近開發(fā)出了基本不使用電力就能分離手性各異的單層CNT的方法。那就是“柱分離法”，該方法是產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所納米系統(tǒng)研究部門首席研究員片浦弘道的研究小組開發(fā)的。據(jù)片浦介紹，“量產(chǎn)時的成本可降至密度梯度超離心分離法的1/100”。

　　該方法是向加入了醫(yī)療領(lǐng)域用于蛋白質(zhì)分離等的多孔質(zhì)凝膠的柱體，澆注含手性各異的單層CNT的溶液。這樣一來，溶液中最容易與凝膠吸附的CNT就留在了凝膠中，而其他成分被排出。

　　然后，讓排出的溶液再次通過凝膠，剩余的CNT中最容易吸附凝膠的CNT又留在凝膠中，其余被排出。

　　通過重復(fù)這個過程，單層CNT基本可以根據(jù)手性的不同全部分離。另外最近，即使手性相同，還可以根據(jù)右旋還是左旋等差異進行分離。

　　目前的課題是，凝膠價格非常高。不過，“凝膠的原料比較便宜，因此量產(chǎn)的話就能降低單價”（片浦）。

　　“玉石混雜”的情況將結(jié)束

　　很多CNT碳元件的研究人員都對柱分離法表現(xiàn)出了強烈的興趣。這是因為，以前一直利用半導(dǎo)體型與金屬型混合這種“玉石混雜”的材料制造元件，而現(xiàn)在突然可以利用具備特定帶隙的CNT了。有望實現(xiàn)性能非常高或者全新的元件。

　　順便一提，關(guān)于半導(dǎo)體型和金屬型的分離，NEC等也開發(fā)出了只使用很少電力的技術(shù)（圖2（d））。特點是，CNT分散劑采用不會對晶體管等造成影響的非離子性表面活性劑；而且直徑稍大、帶隙較小的單層CNT可以分離成半導(dǎo)體型和金屬型。

　　四、石墨烯制法新突破：將得到廣泛應(yīng)用

　　石墨烯是世界上最薄、導(dǎo)熱性最高、導(dǎo)電性最好、柔軟并透明、化學(xué)穩(wěn)定性最強、最堅韌的材料將在手機顯示屏、電池、傳感器、元器件等方面給手機產(chǎn)業(yè)帶來革命性應(yīng)用。

　　它是一個只有原子厚的碳片，它類似于鉛筆芯的材料─石墨，同時它也是地球上已知的最薄、但卻比鋼還要堅固200倍的新型材料。石墨烯不僅是已知材料中最薄的一種，還非常牢固堅硬；作為單質(zhì)，它在室溫下傳遞電子的速度比已知導(dǎo)體都快。石墨烯具有與銅相當(dāng)?shù)膶?dǎo)電效率，又有優(yōu)于其他材料的導(dǎo)熱性能。石墨烯目前是世上最薄卻也是最堅硬的納米材料，它幾乎是完全透明的，只吸收2.3%的光；導(dǎo)熱系數(shù)高達5300W/m？K，高于碳納米管和金剛石，常溫下其電子遷移率比納米碳管或硅晶體高，而電阻率比銅或銀更低，為目前世上電阻率最小的材料第一：石墨烯是迄今為止世界上強度最大的材料，據(jù)測算如果用石墨烯制成厚度相當(dāng)于普通食品塑料包裝袋厚度的薄膜（厚度約100納米），那么它將能承受大約兩噸重物品的壓力，而不至于斷裂；第二：石墨烯是世界上導(dǎo)電性最好的材料。由于石墨烯實質(zhì)上是一種透明、良好的導(dǎo)體，也適合用來制造透明觸控屏幕、光板、甚至是太陽能電池。

　　而今年，兩位俄裔英籍科學(xué)家將石墨烯成功從石墨中分離。如果說20世紀是硅的世紀，神奇的石墨烯則是21世紀新材料的寵兒。

　　去年，來自國外的部分研究機構(gòu)發(fā)現(xiàn)，石墨烯這種材料擁有難以置信的光吸收能力，并且還能把吸收的光波迅速轉(zhuǎn)化為波長更短、頻率更高的激光，持續(xù)時間為幾飛秒。科學(xué)家們表示，利用這個新發(fā)現(xiàn)，未來他們可以發(fā)明更耐高溫的激光發(fā)射武器（石墨烯超耐高溫）。當(dāng)然，這個發(fā)現(xiàn)目前僅存在于實驗室，如果科學(xué)家們建立出實體模型，將能夠增加激光發(fā)射器的使用壽命和發(fā)射功率。

　　不僅是在國外，中國在發(fā)展石墨烯激光器的道路上同樣取得令人矚目的進展。

　　日前，泰州巨納新能源有限公司研制的商用石墨烯飛秒光纖激光器（Fiphene）問世，這也是全球首臺商用石墨烯飛秒光纖激光器。同時，該激光器還創(chuàng)造了脈沖寬度最短（105fs）和峰值功率最高（70kW）兩項石墨烯飛秒光纖激光器世界紀錄。

　　該產(chǎn)品被命名為Fiphene，取Fiber（光纖）和Graphene（石墨烯）兩個詞的組合。泰州巨納新能源有限公司計劃以Fiphene為平臺，推出更多石墨烯光纖激光器產(chǎn)品，將石墨烯的應(yīng)用發(fā)展向前推進。

　　飛秒光纖激光器的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣闊，包括激光成像、全息光譜及超快光子學(xué)等科研應(yīng)用，以及激光材料精細加工、激光醫(yī)療（如眼科手術(shù)）、激光雷達等領(lǐng)域。傳統(tǒng)的飛秒光纖激光器核心器件——半導(dǎo)體飽和吸收鏡（SESAM）采用半導(dǎo)體生長工藝制備，成本很高，且技術(shù)由國外壟斷。

　　在飛秒光纖激光器領(lǐng)域，石墨烯被認為是取代SESAM的最佳材料。2010年諾貝爾物理學(xué)獎獲得者撰文預(yù)測石墨烯飛秒光纖激光器有望在2018年左右產(chǎn)業(yè)化。要實現(xiàn)真正的產(chǎn)業(yè)化，需要解決高質(zhì)量石墨烯制備、大規(guī)模低成本石墨烯轉(zhuǎn)移、石墨烯與光場強相互作用、石墨烯飽和吸收體封裝以及激光功率穩(wěn)定控制等一系列關(guān)鍵技術(shù)。泰州巨納新能源有限公司經(jīng)過多年持續(xù)研究，成功攻克了這些關(guān)鍵技術(shù)，率先實現(xiàn)了石墨烯飛秒光纖激光器的產(chǎn)品化，主要性能指標均高于同類產(chǎn)品，具有很高的性價比和很強的市場競爭能力。

　　近日，一支由法、美、德三國研究機構(gòu)和大學(xué)組成的國際研究團隊利用新方法合成了高質(zhì)量石墨烯納米帶，并成功在室溫下驗證了其非凡的導(dǎo)電性能。這種納米帶為新型電子設(shè)備的研發(fā)開創(chuàng)了新的發(fā)展空間。

　　石墨烯是一種由單層碳原子組成的材料，擁有眾多極為特殊的物理特性，室溫下電子在石墨烯材料中的移動速度是硅導(dǎo)體的200倍。此前的研究已經(jīng)證實，碳納米管（由石墨烯卷曲而成的圓筒結(jié)構(gòu)）具有極好的導(dǎo)電性能，然而結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜的碳納米管難以安裝在電子芯片內(nèi)部。因此，科研人員將研究轉(zhuǎn)向石墨烯的另外一種形式——扁平的石墨烯納米帶。

　　該研究團隊設(shè)計出一套巧妙的辦法，成功制備出寬度僅為40納米的高質(zhì)量石墨烯納米帶。此前的石墨烯納米帶邊緣較為粗糙，這嚴重影響了其導(dǎo)電性，是阻礙石墨烯納米帶電子傳輸?shù)囊淮笳系K。為解決這一問題，研究人員在碳化硅晶體上切割出邊緣整齊的帶狀凹槽，并直接在這些凹槽上制備石墨烯納米帶。在測試新制備納米帶導(dǎo)電性的實驗中，常溫下的電子遷移率超過了100萬cm2/Vs（每單位電場下電子的遷移速率），是應(yīng)用于計算機內(nèi)存的硅半導(dǎo)體的1000倍（通常低于1700cm2/Vs）。

　　此外，新的制備方法適用于大批量規(guī)模生產(chǎn)，并能夠保證石墨烯納米帶的結(jié)構(gòu)質(zhì)量，這使得石墨烯在電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用成為可能。